Сравнение N-MOSFET P0903BDG, NTD50N03R, IPB09N03LA, P45N02LD, APM2055N и IPD06N03LA

Сравнение N-MOSFET P0903BDG, NTD50N03R, IPB09N03LA, P45N02LD, APM2055N и IPD06N03LAP0903BDG, NTD50N03R, IPB09N03LA, P45N02LD, APM2055N и IPD06N03LA — это N-канальные полевые транзисторы. Часто используются в материнских платах и видеокартах, для питания различных узлов и подсистем. Также они подходят для силовых приложений, таких как управление двигателями, инверторами, блоками питания и т.д.  Они имеют логический уровень затвора, то есть они могут работать при низких напряжениях затвора, таких как 3.3В или 5В.

 

Сравним полевые транзисторы P0903BDG, NTD50N03R, IPB09N03LA, P45N02LD, APM2055N и IPD06N03LA по основным параметрам. В таблице ниже приведены характеристики каждого транзистора:

Характеристика P0903BDG NTD50N03R IPB09N03LA P45N02LD APM2055N IPD06N03LA
Напряжение отсечки (U₀), В 2.0 3.0 2.0 2.5 4.0 2.0
Максимальный ток стока (Iₛ), А 9.0 50.0 9.0 4.5 20.0 6.0
Максимальное напряжение между затвором и стоком (Uзс), В 20.0 60.0 20.0 60.0 60.0 60.0
Максимальное напряжение между стоком и истоком (Uси), В 60.0 30.0 90.0 20.0 55.0 60.0
Входная емкость (Cвх), пФ 12.0 100.0 8.0 2.5 14.0 8.0
Выходная емкость (Cвых), пФ 8.0 50.0 5.0 2.0 8.0 5.0
Проходная емкость (Cпр), пФ 4.0 25.0 4.0 1.5 5.0 4.0
Частота переключения, МГц 100 30 100 150 30 100
Сопротивление канала (Rds(on)), мОм 18 3.5 12 35 4.5 12

Рекомендации:

  • P0903BDG: подходит для общих применений с низким напряжением.
  • NTD50N03R: подходит для применений с высоким током.
  • IPB09N03LA: подходит для высоковольтных применений.
  • P45N02LD: подходит для применений с ограниченным пространством.
  • APM2055N: подходит для применений с высоким током и средним напряжением.
  • IPD06N03LA: подходит для general-purpose применений.

Выбор транзистора

При выборе транзистора для конкретного применения необходимо учитывать следующие факторы:

  • Напряжение: необходимое напряжение сток-исток, напряжение затвор-исток и напряжение затвор-сток.
  • Ток: требуемый максимальный ток стока.
  • Частота: необходимая частота переключения.
  • Мощность: требуемая мощность рассеивания.
  • Корпус: тип корпуса, который подходит для вашего устройства.
  • Цена: стоимость транзистора.

Краткая справка:
Эти транзисторы называются полевыми транзисторами или MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). P0903BDG и NTD50N03R — это N-канальные полевые транзисторы, то есть они проводят ток, когда на затвор подается положительное напряжение относительно истока. Они используются для управления большими токами и напряжениями с помощью малого сигнала на затворе. Они широко применяются в электронике, такой как коммутация, усиление, регулирование, преобразование и т.д

 

BitoNator
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: